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電加熱器/BRY9/3KW/380V 隔爆型
- 型 號：
- 價(jià) 格：1
- 更新時(shí)間：2023-11-24
電加熱器 SRY9 380V 9KW小功率場效應(yīng)管代換時(shí),應(yīng)考慮其輸入阻抗、導(dǎo)、夾斷電壓或開啟電壓、擊穿電壓等參數(shù);大功率場效應(yīng)管時(shí),應(yīng)考慮其擊穿電壓（應(yīng)為功放工作電壓的2倍以上）、耗率（應(yīng)達(dá)到放大器輸出功率的0.5~1倍）、漏極電流等參數(shù)彩色電視機(jī)的高頻調(diào)諧器、半導(dǎo)體收音機(jī)的變頻器等高頻般采用雙柵場效應(yīng)管,音頻放大器的差分輸入、調(diào)制、放大電加熱器/BRY9/3KW/380V 隔爆型
| 品牌 | 萬安電熱電器 |
|---|
電加熱器/BRY9/3KW/380V 隔爆型電加熱器 SRY9 380V 9KW介紹：
命電工電路識圖、布線、接線與維修
(2)絕緣柵型場效應(yīng)管以一塊P型薄硅片為
面做兩個(gè)高雜質(zhì)的N型區(qū),分別作為源極S和漏極D
覆蓋一層絕緣物,然后再用金屬鋁引出一個(gè)電極G(
就是絕緣柵型場效應(yīng)管的基本結(jié)構(gòu),其結(jié)構(gòu)如圖28所
29.2場效應(yīng)管的選配、代換及應(yīng)用
(1)場效應(yīng)管的選配與代換場效應(yīng)管損壞后,
型、同特性、同外形的場效應(yīng)管更換。如果沒有同
管,則可以采用其他型號的場效應(yīng)管代換。
般N溝道場效應(yīng)管與N溝道場效應(yīng)管進(jìn)行代換,P
應(yīng)管與P溝道場效應(yīng)管進(jìn)行代換,大功率場效應(yīng)管可以代換
場效應(yīng)管。小功率場效應(yīng)管代換時(shí),應(yīng)考慮其輸入阻抗、
導(dǎo)、夾斷電壓或開啟電壓、擊穿電壓等參數(shù);大功率場效應(yīng)管
時(shí),應(yīng)考慮其擊穿電壓(應(yīng)為功放工作電壓的2倍以上)、耗
率(應(yīng)達(dá)到放大器輸出功率的0.5~1倍)、漏極電流等參數(shù)
彩色電視機(jī)的高頻調(diào)諧器、半導(dǎo)體收音機(jī)的變頻器等高頻
般采用雙柵場效應(yīng)管,音頻放大器的差分輸入、調(diào)制、放大
抗變換等電路通常采用結(jié)型場效應(yīng)管。音頻功率放大、開關(guān)電
路、鎮(zhèn)流器、駐電器、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)等電路則采用MOS場效應(yīng)管
(2)電加熱器/BRY9/3KW/380V 隔爆型場效應(yīng)管的應(yīng)用
①雙柵場效應(yīng)管的應(yīng)用。如圖288所示,V為雙柵場效應(yīng)
在電路中起放大作用
② MOSFET的應(yīng)用。 MOSFET應(yīng)用于電源電路如圖2-89所示
該電路由P溝道功率 MOSFET、運(yùn)算放大器、電流檢測電阻
組成。工作原理如下:運(yùn)放CA3140組成同相端輸入放大器。當(dāng)
流源輸出電流經(jīng)負(fù)載R及Rs,在Rs上產(chǎn)生的電壓(R3D)輸入
相端,經(jīng)放大后直接控制P管的柵極G而組成電流反饋電路,
輸出電流達(dá)到穩(wěn)定。例如,如有l(wèi)D↓→R3上的電壓↓→同相端
輸入電壓↓→運(yùn)放的輸出電壓↓→運(yùn)放輸出電壓↓(R1的電壓
Uos(c-Uk1)↑→l↑,這樣可保持恒流的穩(wěn)定性
輸出電流的大小是通過電位器RP的調(diào)節(jié)而達(dá)到的。改
電加熱器 SRY9 380V 9KW特點(diǎn)：
絕緣柵雙極型晶體管( Insulated Gate Bipolar transisto
功率場效應(yīng)管與雙極型(PNP或NPN)管復(fù)合后的
型器件,它綜合了場效應(yīng)管開關(guān)速度快、控制電壓低3
管電流大、反壓高、導(dǎo)通時(shí)壓降小等優(yōu)點(diǎn),是目前頗受歡
電子器件。目前國外高壓IGBT模塊的電流電壓
2000430V,采用了易于并聯(lián)的NPT工藝技術(shù),第四
品的飽和壓降顯著降低,減少了功率損耗;美國
產(chǎn)的 WrapIGBT開關(guān)速度 ,工作頻率 可達(dá)0
柵雙極型晶體管GBT已廣泛應(yīng)用于電動(dòng)機(jī)變頻調(diào)速控
換機(jī)電源、計(jì)算機(jī)系統(tǒng)不停電電源(UPS)、變頻空調(diào)器
床伺服控制等。
IGBT是由 MOSFET與GTR復(fù)合而成的,其圖形符號
所示。GBT基本結(jié)構(gòu)如圖290(a)所示,是由柵極G、
集電極E組成的
壓控制器件,常
內(nèi)部有保IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)
本護(hù)二極管
電路如圖290(b
G
IGBT的封裝與
E
型大功率三極管
(a)PNP型(b)NPN型(c)帶阻尼NPN型
多種封裝形式
圖2-901GBT的圖形符號
所示
簡單來說,IGBT等效成一只由 MOSFT驅(qū)動(dòng)的厚
三極管,如圖2-92(b)所示。N溝道IGBT簡化等效電
PNP管基區(qū)內(nèi)的調(diào)制電阻,由N溝道 MOSFET和PNP
合而成,導(dǎo)通和關(guān)斷由柵極和發(fā)射極之間驅(qū)動(dòng)電壓la
